滿足半導(dǎo)體集成電路，電力電子器件，光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積sio2、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難溶金屬硅化物等多種薄膜工藝。

用等離子體增強的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)是在等離子的幫助下進行處理的薄膜沉積工藝。在眾多的等離子產(chǎn)生辦法中，泰斯達(dá)PECVD反應(yīng)系統(tǒng)使用了高密度的等離子源，如高頻（RF-PECVD）、微波（MW-PECVD）和電子回旋共振（ECR-PECVD）。其濃密的等離子適用于薄膜太陽能電池、表面改性、光和工業(yè)鍍覆、氮化硅鈍化、金剛石薄膜和其他。泰斯達(dá)所提供的PECVD系統(tǒng)可為客戶個體制造和研發(fā)需求量身定制。

RF-PECVD

非晶和微晶硅薄膜可以通過RF-PECVD進行高經(jīng)濟效益的沉積。這些薄膜組成了非晶硅太陽能電池的吸光層或串聯(lián)硅電池（非晶硅 微晶硅）。我們提供了為客戶設(shè)計的RF-PECVD系統(tǒng)，可以在任何類型的太陽能電池上使用。非晶硅太陽能電池的泰斯達(dá)標(biāo)準(zhǔn)的RF-PECVD系統(tǒng)被配置為四個處理室群。其設(shè)計可處理高達(dá)12"/300 mm見方的基板。處理室可以自動或手動裝載。這個系統(tǒng)是與FCS-10/30處理控制器和DCS30數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)同時出現(xiàn)的。