供應(yīng)青島福潤(rùn)德牌frd-101PECVD設(shè)備

  • 總供應(yīng)量500
基本信息:
  • CCC功率
    220(W)
    是最大電壓
    220(V)
  • 淀積規(guī)格
    500*600
    福潤(rùn)德額定溫度
    1231(℃)
詳細(xì)信息:

滿(mǎn)足半導(dǎo)體集成電路,電力電子器件,光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積sio2、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難溶金屬硅化物等多種薄膜工藝。

用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)是在等離子的幫助下進(jìn)行處理的薄膜沉積工藝。在眾多的等離子產(chǎn)生辦法中,泰斯達(dá)PECVD反應(yīng)系統(tǒng)使用了高密度的等離子源,如高頻(RF-PECVD)、微波(MW-PECVD)和電子回旋共振(ECR-PECVD)。其濃密的等離子適用于薄膜太陽(yáng)能電池、表面改性、光和工業(yè)鍍覆、氮化硅鈍化、金剛石薄膜和其他。泰斯達(dá)所提供的PECVD系統(tǒng)可為客戶(hù)個(gè)體制造和研發(fā)需求量身定制。

RF-PECVD

非晶和微晶硅薄膜可以通過(guò)RF-PECVD進(jìn)行高經(jīng)濟(jì)效益的沉積。這些薄膜組成了非晶硅太陽(yáng)能電池的吸光層或串聯(lián)硅電池(非晶硅 微晶硅)。我們提供了為客戶(hù)設(shè)計(jì)的RF-PECVD系統(tǒng),可以在任何類(lèi)型的太陽(yáng)能電池上使用。非晶硅太陽(yáng)能電池的泰斯達(dá)標(biāo)準(zhǔn)的RF-PECVD系統(tǒng)被配置為四個(gè)處理室群。其設(shè)計(jì)可處理高達(dá)12"/300 mm見(jiàn)方的基板。處理室可以自動(dòng)或手動(dòng)裝載。這個(gè)系統(tǒng)是與FCS-10/30處理控制器和DCS30數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)同時(shí)出現(xiàn)的。

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